mMIMO 基站

應用(yòng)描述

随着移動通信的快速發展，新(xīn)一代5G通信技(jì )術正向更高的通信速率、更高的效率、更高的可(kě)靠性、更低的系統時延、更大的系統容量以及更大規模的系統設備連接發展，射頻功率放大器作(zuò)為(wèi)該系統的關鍵器件，會直接影響整個系統的性能(néng)表現。基于高性能(néng)低成本LDMOS MMIC工藝，實現了高效率，大帶寬和50歐姆輸入輸出全集成功能(néng)。

華太自2010年就開始研究LDMOS工藝，設計基于該工藝的射頻功放芯片，打破了國(guó)際壟斷，同時也在加大力度投入GaN産品研發，兩種工藝互補，采用(yòng)創新(xīn)式架構，可(kě)為(wèi)移動通信mMIMO基站産品提供解決方案。

mMIMO

射頻系列産品

H9G4850M12Q

LDMOS MMIC

4800 MHz,5000 MHz,28 V

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H9G4750M12P

LDMOS MMIC

4700 MHz,5000 MHz,28 V

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H9G3336M12Q

LDMOS MMIC

3300 MHz,3600 MHz,28 V

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H8G3336M12P

LDMOS MMIC

3300 MHz,3600 MHz,28 V

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H9G2527M10Q

LDMOS MMIC

2500 MHz,2700 MHz,28 V

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H8G2527M10P

LDMOS MMIC

2500 MHz,2700 MHz,28 V

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H9G2324M10Q

LDMOS MMIC

2300 MHz,2400 MHz,28 V

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H8G2324M10P

LDMOS MMIC

2300 MHz,2400 MHz,28 V

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H9G2122M10Q

LDMOS MMIC

2110 MHz,2200 MHz,28 V

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H8G2022M10P

LDMOS MMIC

2110 MHz,2170 MHz,28 V

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H9G1819M10Q

LDMOS MMIC

1805 MHz,1880 MHz,28 V

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H8G1819M10P

LDMOS MMIC

1805 MHz,1880 MHz,28 V

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