華太電(diàn)子 榮獲“2021-2022中國(guó)IGBT創新(xīn)獎

2022年8月18日，由中國(guó)半導體(tǐ)行業協會、中國(guó)電(diàn)子信息産業發展研究院等部門主辦的2022世界半導體(tǐ)大會隆重舉行。華太憑借多(duō)年在功率器件技(jì )術領域深耕多(duō)項技(jì )術指标達到國(guó)際領先，榮獲“2021-2022中國(guó)IGBT創新(xīn)獎”。

華太電(diàn)子掌握功率器件和模塊的核心設計、工藝及封裝(zhuāng)技(jì )術。擁有高魯棒性且高性價比的先進Super IGBT結構技(jì )術，可(kě)提供優越的通态損耗和開關損耗性能(néng)與高可(kě)靠性, 提高逆變器功率密度。華太Super IGBT技(jì )術開關損耗低，工作(zuò)頻率高；在提高開關速度的同時保持低通态壓降，多(duō)項技(jì )術指标國(guó)際領先，已量産發貨。