應用(yòng)描述
随着移動通信的快速發展，新(xīn)一代5G通信技(jì )術正向更高的通信速率、更高的效率、更高的可(kě)靠性、更低的系統時延、更大的系統容量以及更大規模的系統設備連接發展，射頻功率放大器作(zuò)為(wèi)該系統的關鍵器件，會直接影響整個系統的性能(néng)表現。
華太自2010年就開始研究LDMOS工藝，設計基于該工藝的射頻功放芯片，創新(xīn)式、低成本、高性能(néng)的大功率射頻産品，可(kě)為(wèi)移動通信宏站市場提供解決方案。
Macro RRU
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射頻系列産品
應用(yòng)痛點
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通信宏站要求多(duō)頻多(duō)模站點極簡部署，以及多(duō)制式共建共享及網絡演進，對射頻功放大帶寬、低成本和高效率性能(néng)都有較高要求；
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要求靈活的射頻功放方案，用(yòng)于有效保護客戶長(cháng)期投資，同時節省站點空間，降低無線(xiàn)站點運維成本；
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同時強調産業鏈自主可(kě)控，無卡脖子擔憂。
華太解決方案優勢
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産品采用(yòng)單路和集成Doherty架構多(duō)種形式；
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産品基于自主知識産權的28V和 50V LDMOS 工藝平台開發，産業鏈自主可(kě)控；
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封裝(zhuāng)材料自主開發設計，具有低成本、高可(kě)靠性；
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自身的空腔塑封技(jì )術可(kě)為(wèi)産品帶來更強的競争力；
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GaN産品研發也在逐步提升，與LDMOS形成互補；
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産品覆蓋700M-4.9GHz，平台化設計。
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應用(yòng)成果
完全自主知識産權的LDMOS工藝平台；
獲得全球國(guó)際大廠認可(kě)，LDMOS大功率産品競争力業界領先；
市場用(yòng)量逐年攀升，同時也正在加大GaN産品的研發投入。
